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LED芯片制造流程--LED灯具发布时间:2022-11-30 浏览次数:424 |
LED芯片制造流程--LED灯具
随着技术的进步，LED的效率已经向前迈进了一大步。在不久的将来将取代现有的照明LED灯泡。近年来，首个用于LED芯片的氮化镓（GaN）基外延片（wafer）已经制造出来，信号源材料芯片（碳化硅SiC）所需的各种高纯度气体，如生产过程之中基板之上的在氢气H2或氩气等惰性气体之中，Ar为载体，可根据工艺要求一步一步制作芯片。接下来，对LED-PN结的两个电极进行处理，并对LED头发进行细化和切割。然后进行微弧氧化测试和分选，即可得到LED芯片。具体过程的方法就不详细介绍了。首先是制作氮化镓衬垫（GaN）基外延片，该工艺主要在金属有机化学气相沉积芯片炉（MOCVD）之中完成。可以根据分步工艺要求进行用于生产GaN基外延片和各种所需源材料纯度的芯片的制备。用的衬底有蓝宝石、碳化硅和硅衬中旬，以及砷化镓、氮化铝、氧化锌等材料。
MOCVD方法使用气态反应物（前体）与衬底表面的III族和V族NH3反应，所需的产物沉积在衬底表面的有机金属基团之上。通过控制温度、压力、反应物浓度和不同的刻度，从而控制涂料的组成，获得相同的结晶质量。用于LED外延片的MOCVD外延炉生产之中常用的设备。
对LED PN结的两个电极进行加工，电极加工的关键工序是生产LED芯片，包括清洗、蒸发、变黄、化学蚀刻、熔合、研磨，然后切割LED头发，经过测试和选择，就可以得到想要的LED芯片。如果芯片清洗不够干净，蒸发系统出现异常，会导致沉积的金属层（指蚀刻电极）脱落、金属层变色、金泡沫等异常现象。
在沉积过程之中，有时需要弹簧固定芯片，这会产生夹痕。（一定要挑除目测）。黄色业务包括烘烤、光刻胶、照片曝光、显影等。如果显影剂在掩模之中没有孔，则会有多个金属残留在整个发光区域之中。
在芯片的前道工序之中，各种工序，如清洗、沉积、泛黄、化学蚀刻、熔融、研磨等，都要用到镊子、筐、车等，因此芯片电极上会有划痕。
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